分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4628DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4628DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC 0 2,500:$0.71550
5,000:$0.68900
12,500:$0.66250
25,000:$0.64925
SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 855 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI4628DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 38A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3450pF @ 15V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOIC（窄型）
包裝: 帶卷 (TR)