分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIS407DN-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIS407DN-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 855 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SIS407DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 25A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.5 毫歐 @ 15.3A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 93.8nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2760pF @ 10V
功率 - 最大: 33W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: Digi-Reel®