元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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STB6NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK | 545 | 1:$1.94000 10:$1.75100 25:$1.56880 100:$1.41060 250:$1.25248 500:$1.09440 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4.6A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 920 毫歐 @ 2.3A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 420pF @ 50V |
功率 - 最大: | 45W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | D2PAK |
包裝: | 剪切帶 (CT) |