元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SSM6J501NU,LF | Toshiba | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B | 3,000 | 3,000:$0.29000 6,000:$0.27000 15,000:$0.26000 30,000:$0.25000 75,000:$0.24600 150,000:$0.24000 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 10A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 15.3 毫歐 @ 4A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29.9nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-WDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-uDFN(2x2) |
包裝: | 帶卷 (TR) |