分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI5443DC-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI5443DC-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI5443DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8 0 3,000:$0.54600
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK 0 1:$1.44000
25:$1.14000
100:$1.02600
250:$0.89300
500:$0.79800
1,000:$0.62700
SI8445DB-T2-E1 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT 4 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI5443DC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.6A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫歐 @ 3.6A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 600mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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