分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIS468DN-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIS468DN-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK 0 1:$1.44000
25:$1.14000
100:$1.02600
250:$0.89300
500:$0.79800
1,000:$0.62700
SIS468DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 19.5 毫歐 @ 10A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 28nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 780pF @ 40V
功率 - 最大: 52W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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