分離式半導體產(chǎn)品 SI4426DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4426DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4426DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.38640
SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 200 1:$1.44000
25:$1.14000
100:$1.02600
250:$0.89300
500:$0.79800
1,000:$0.62700
SI4426DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 25 毫歐 @ 8.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)