分離式半導體產品 SI7382DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI7382DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI7382DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.60340
SI7328DN-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8 0 3,000:$0.60340
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP 0 3,000:$0.60340
SI4483EDY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.60340
SI7382DP-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 14A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 毫歐 @ 24A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)