| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | 25 | 1:$1.36000 25:$1.07480 100:$0.96710 250:$0.84176 500:$0.75222 1,000:$0.59103 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 5.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.5 歐姆 @ 2.5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 325pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-252AA |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |