分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQD45P03-12-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SQD45P03-12-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SQD45P03-12-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V TO252 0 2,000:$0.70200
SI1315DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 900MA SC70-3 0 3,000:$0.10725
SQD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 40V TO252 0 2,000:$1.28250
SI7457DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SI7455DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 60A SO-8 5 1:$2.03000
25:$1.56600
100:$1.42100
250:$1.27600
500:$1.10200
1,000:$0.92800
SI7455DP-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.28250
SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC 0 2,500:$0.78300
SI4890DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC 0 2,500:$1.28250
SQD45P03-12-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 12 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 83nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3495pF @ 15V
功率 - 最大: 71W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252，（D-Pak）
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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