元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SI7457DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
SI7455DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
SIJ482DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 80V 60A SO-8 | 5 | 1:$2.03000 25:$1.56600 100:$1.42100 250:$1.27600 500:$1.10200 1,000:$0.92800 |
SI7455DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC | 0 | 3,000:$1.28250 |
SI4866DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.78300 |
SI4890DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | 0 | 2,500:$1.28250 |
類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 標準 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 28A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 42 毫歐 @ 7.9A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5230pF @ 50V |
功率 - 最大: | 83W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
供應商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |