| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIE848DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK | 0 | 1:$2.98000 25:$2.29520 100:$2.08250 250:$1.87000 500:$1.61500 1,000:$1.36000 |
| SQD50N06-07L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A TO252 | 0 | 2,000:$1.72900 |
| SI4886DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC | 0 | 2,500:$1.71570 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 60A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.6 毫歐 @ 25A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 138nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 6100pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 10-PolarPAK?（L） |
| 供應商設備封裝: | 10-PolarPAK?（L） |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |