分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHG24N65E-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIHG24N65E-E3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIHG24N65E-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC 47 1:$6.16000
25:$4.95000
100:$4.51000
250:$4.07000
500:$3.65200
1,000:$3.08000
2,500:$2.92600
5,000:$2.80500
SIHG24N65E-E3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 24A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 145 毫歐 @ 12A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2740pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-247AC
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
相關(guān)代理商
最新IC采購(gòu)型號(hào)
  • CSR1TTE10mΩF
  • CSR1TTE20L0F
  • CSR1TTE20mΩF
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