分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTT16N10D2品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IXTT16N10D2 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IXTT16N10D2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268 |
0 |
60:$9.30700
|
| IXTZ550N055T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 55V 550A DE475 |
0 |
18:$25.65944
|
| IXTP18N60PM |
IXYS |
MOSFET N-CH TO-220 |
0 |
150:$3.79253
|
| IXTQ98N20T |
IXYS |
MOSFET N-CH 200V 98A TO-3P |
0 |
120:$3.77200
|
| IXFK30N110P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264 |
0 |
25:$24.25920
|
| IXFR26N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 |
0 |
30:$23.86800
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IXTT16N10D2 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
耗盡模式
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
16A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
64 毫歐 @ 8A，0V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
-
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
225nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
5700pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
830W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-268
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| 包裝: |
管件
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