分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI65R190CFD品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI65R190CFD • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPI65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262 0 10,000:$2.37074
IPP80N04S4-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 0 1,000:$0.72015
IPI65R190CFD • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫歐 @ 7.3A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 730µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 100V
功率 - 最大: 151W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件