分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB108N15N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB108N15N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB108N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 0 1:$4.80000
10:$4.31600
25:$3.91640
100:$3.51670
250:$3.19700
500:$2.79738
IPB108N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 0 1,000:$2.23790
2,000:$2.12601
5,000:$2.03809
10,000:$1.98214
25,000:$1.91820
IPB108N15N3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 83A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10.8 毫歐 @ 83A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 160µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3230pF @ 75V
功率 - 最大: 214W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線(xiàn)+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: 剪切帶 (CT)