分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI126N10N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI126N10N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPI126N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3 0 1:$2.02000
10:$1.82800
25:$1.63160
100:$1.46860
250:$1.30540
500:$1.14222
1,000:$0.94642
2,500:$0.88114
5,000:$0.84851
IPI126N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 58A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 12.6 毫歐 @ 46A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 46µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 50V
功率 - 最大: 94W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件