| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB027N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3 | 0 | 1,000:$3.35216 |
| IPW50R280CE | Infineon Technologies | MOSF 500V 13A PG-TO247 | 0 | 1:$3.23000 25:$2.59480 100:$2.36430 250:$2.13360 500:$1.91448 1,000:$1.61462 2,500:$1.53389 5,000:$1.47046 10,000:$1.43009 |
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | MOSF 500V 13A PG-TO220FP | 0 | 1:$2.93000 25:$2.36400 100:$2.12760 250:$1.89120 500:$1.65480 1,000:$1.37112 2,500:$1.27656 5,000:$1.22928 10,000:$1.18200 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.7 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 275µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 206nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 14800pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |