分離式半導體產(chǎn)品 BSC109N10NS3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSC109N10NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSC109N10NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON 0 5,000:$0.80145
10,000:$0.77063
25,000:$0.75521
50,000:$0.73980
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1:$1.92000
10:$1.64500
25:$1.48000
100:$1.34310
250:$1.20604
500:$1.04158
BSC109N10NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 63A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10.9 毫歐 @ 46A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 45µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 50V
功率 - 最大: 78W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應商設備封裝: PG-TDSON-8
包裝: 帶卷 (TR)