分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IRFBE20STRL品牌、價格、PDF參數(shù)

IRFBE20STRL • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IRFBE20STRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK 0 800:$1.16550
IRFBC40LCSTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK 0 800:$2.50500
IRFBC40LCSTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK 0 800:$2.50500
IRFBE20STRL • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.5 歐姆 @ 1.1A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V
功率 - 最大: 54W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)