分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPL60R299CP品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPL60R299CP • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPL60R299CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON 0 3,000:$1.42549
6,000:$1.36655
15,000:$1.32903
30,000:$1.28616
IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 0 1,000:$1.42478
IPL60R299CP • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11.1A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 299 毫歐 @ 6.6A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 440µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 100V
功率 - 最大: 96W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 4-TSFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-VSON-4
包裝: 帶卷 (TR)