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參數(shù)資料
| 型號： | DTD143ES |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Digital transistors (built-in resistors) |
| 中文描述： | 數(shù)字晶體管（內(nèi)置電阻） |
| 文件頁數(shù)： | 14/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 500K |
| 代理商： | DTD143ES |
PBL
-
+
A
B
C
E
G
H
D
PBU
-
~
~
+
B
C
D
H
M
N
P
A
E
L
K
J
G
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
18.50
Max
19.50
15.40
16.40
6.50
19.00
6.20
4.60
5.60
1.50
2.00
1.30 Typical
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Min
22.70
Max
23.70
3.80
4.10
4.20
4.70
1.70
2.20
10.30
11.30
4.50
6.80
4.80
5.80
19.30
25.40
16.80
17.80
6.60
7.10
4.70
5.20
1.20
1.30
KBJ
A
B
D
J
K
C
E
H
L
M
N
P
R
C
E
H
J
K
L
M
N
P
+
A
B
D
KBP
Dim
A
B
C
D
E
G
H
Min
14.25
Max
14.75
10.20
10.60
2.29 Typical
14.25
14.73
3.56
0.86
0.76
0.86
1.17
2.8 X 45
°
Chamfer
0.80
1.42
J
K
L
M
N
P
1.10
3.35
3
°
Nominal
2
°
Nominal
0.30
3.65
0.64
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
R
Min
24.80
Max
25.20
14.70
15.30
4.00 Nominal
17.20
17.80
0.90
1.10
7.30
3.10
3.40
3.30
7.70
3.70
1.50
1.90
9.30
9.70
2.50
2.90
3.40
3.80
4.40
4.80
0.60
0.80
Dim
A
B
C
D
E
G
H
I
J
K
L
M
N
P
R
S
Min
29.70
Max
30.30
19.70
20.30
17.00
18.00
3.80
4.20
7.30
7.70
7.30 7.70
2.00
2.40
0.90
1.10
2.30
3.0 X 45
°
4.40
2.70
4.80
3.40
3.80
3.10
3.40
2.50
2.90
0.60
0.80
10.80
11.20
GBJ
_
B
C
D
E
E
G
H
K
J
I
L
M
N
P
R
S
A
GBU
-
~
~
+
A
B
K
D
E
F
G
H
J
M
N
P
L
C
GBU
Min
21.8
Dim
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
Max
22.3
3.5
4.1
7.4
7.9
1.65
2.16
2.25
2.75
1.02
1.27
4.83
5.33
17.5
3.2 X 45
°
18.3
18.0
18.8
3.30
3.56
0.46
0.56
0.76
1.0
P.33
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTD143TK | Digital transistors (built-in resistor) |
| DTA115 | Digital transistors (built-in resistors) |
| DTA115TUA | Digital transistors (built-in resistor) |
| DTA123JUA | Digital transistors (built-in resistors) |
| DTA124E | DIGITAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DTD143ES3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Mini size of Discrete semiconductor elements |
| DTD143ESTP | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS DIGI BJT NPN 500MA 3PIN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DTD143EUS3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Mini size of Discrete semiconductor elements |
| DTD143EV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
| DTD143TA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
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