型號: | DTC144EAA |
英文描述: | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP |
中文描述: | 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 30mA的一(c)|園區(qū) |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大?。?/td> | 233K |
代理商: | DTC144EAA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DTC144ECA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-23 |
DTC144EFA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SC-71 |
DTC144EH | トランジスタ |
DTC144ELA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP |
DTC144EVA | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DTC144ECA RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
DTC144ECA-TP | 功能描述:TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)(最大):100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):50V 電阻器 - 基極 (R1)(歐):47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐):47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA,5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 500µA,10mA 電流 - 集電極截止(最大):- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
DTC144EE | 制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Tr,BRT,NPN,50V/30mA, 47/47 Ohm,EMT3 |
DTC144EE RK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
DTC144EEATL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |