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參數(shù)資料
| 型號： | DTC144E-AE3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
| 中文描述： | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 55K |
| 代理商： | DTC144E-AE3-R |
DTC144E
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 3
QW-R206-050,C
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
(Ta = 25
)
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta= 25
, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
V
IN(OFF)
V
IN(ON)
V
OUT(ON)
I
OUT
/I
IN
= 10mA / 0.5 mA
I
IN
V
IN
= 5V
I
OUT(OFF)
V
CC
= 50V , V
IN
=0V
h
FE
V
OUT
= 5V, I
OUT
= 5mA
R1
R2/R1
f
T
V
CE
= 10 V, I
E
= -5mA, f=100MHz
TEST CONDITIONS
MIN
3
68
32.9
0.8
TYP MAX
47
1
250
UNIT
V
CC
= 5V, I
OUT
=100
V
OUT
= 0.3V, I
OUT
= 20mA
0.5
0.3
0.18
0.5
61.1
1.2
Input Voltage
V
Output Voltage
Input Current
Output Current
DC Current Gain
Input Resistance
Resistance Ratio
Transition Frequency
V
mA
A
k
MHz
PARAMETER
SYMBOL
V
CC
V
IN
I
OUT
I
OUT(MAX)
RATINGS
50
-10 ~ +12
100
100
300
150
200
+150
-55~+150
UNIT
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
Supply Voltage
Input Voltage
Output Current
TO-92SP
SOT-523
SOT-23/SOT-323
Power Dissipation
P
C
Junction Temperature
Storage Temperature
T
J
T
STG
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTC144E-AL3-R | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
| DTC144E-AN3-R | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
| DTC144EL-AE3-R | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
| DTC144EL-AL3-R | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
| DTC144EL-AN3-R | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DTC144ECA RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTC144ECA-TP | 功能描述:TRANS PREBIASED NPN 200MW SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:50V 電阻器 - 基極 (R1)（歐）:47k 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）:47k 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):70 @ 5mA，5V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:300mV @ 500µA，10mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 功率 - 最大:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT323-3 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000756242 |
| DTC144EE | 制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 制造商:ROHM 功能描述:DIVIDER TYPE NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 - free partial T/R at 500. 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Tr,BRT,NPN,50V/30mA, 47/47 Ohm,EMT3 |
| DTC144EE RK | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTC144EEATL | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
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