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參數(shù)資料
| 型號： | DTC143ZL-AN3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | DTC143ZL-AN3-R |
DTC143Z
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-077,B
2 of 3
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
(Ta = 25
)
PARAMETER
SYMBOL
V
CC
V
IN
I
OUT
I
C (MAX)
RATINGS
50
-5 ~ +30
100
100
150
200
300
+150
-55 ~ +150
UNIT
V
V
Supply Voltage
Input Voltage
Output Current
mA
SOT-523
SOT-23/SOT-323
TO-92/TO-92SP
mW
mW
mW
Power Dissipation
P
D
Junction Temperature
Storage Temperature
Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
T
J
T
STG
ELECT RICAL CHARACT ERIS T ICS
(Ta = 25
)
PARAMETER
SYMBOL
V
IN (OFF)
V
IN (ON)
V
OUT (ON)
I
OUT
/I
IN
=5mA/0.25mA
I
IN
V
IN
=5V
I
O (OFF)
V
CC
=50V, V
IN
=0V
h
FE
V
OUT
=5V, I
OUT
=10mA
R
1
R
2
/R
1
f
T
V
CE
=10V, I
E
=-5mA, f=100MHz *
TEST CONDITIONS
V
CC
=5V, I
OUT
=100μA
V
OUT
=0.3V, I
OUT
=5mA
MIN
1.3
80
3.29
8
TYP
0.1
4.7
10
250
MAX
0.5
0.3
1.8
0.5
6.11
12
UNIT
Input Voltage
V
Output Voltage
Input Current
Output Current
DC Current Gain
Input Resistance
Resistance Ratio
Transition Frequency
* Transition frequency of the device
V
mA
μA
K
MHz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DTC143ZL-T92-B | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
| DTC143ZL-T92-K | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
| DTC143ZL-T92-R | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
| DTC143ZL-T9S-K | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
| DTC143Z-T92-B | NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DTC143ZM RL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTC143ZM3T5G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DTC143ZMT2L | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DGTL NPN 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| DTC143ZSA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| DTC143ZSATP | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN 50V 100MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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