參數(shù)資料
型號： DTC143ZC
英文描述： TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
中文描述： 晶體管| 50V五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝
文件頁數(shù)： 5/9頁
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代理商： DTC143ZC
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PDF描述
DTA115EC TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 20MA I(C) | SOT-23
DTA115EK TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
DTA115EL TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTA115GK TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR
DTA115GL TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DTC143ZCA RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
DTC143ZCAT216 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
DTC143ZCA-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sgle NPN, 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
DTC143ZCPT216 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
DTC143ZE 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW 制造商:ROHM 功能描述:LEAK ABSORB NPN SM DIGITAL TRANSISTOR EMT3 150mW - free partial T/R at 500.
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