參數(shù)資料
型號(hào): DTC114WL
英文描述: TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
中文描述: 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|園區(qū)
文件頁(yè)數(shù): 4/9頁(yè)
文件大小: 1299K
代理商: DTC114WL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DTC114WS TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR
DTC114WU TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR
DTC114WV TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC114YC TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 70MA I(C) | SOT-23
DTC114YH トランジスタ
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參數(shù)描述
DTC114WLA 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC114WN3 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:NPN Digital Transistors (Built-in Resistors)
DTC114WS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR
DTC114WS3 制造商:CYSTEKEC 制造商全稱:Cystech Electonics Corp. 功能描述:General Purpose NPN Digital Transistors (Built-in Resistors)
DTC114WSA 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2