型號(hào): | DTC114EV |
英文描述: | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
中文描述: | 晶體管| 50V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|園區(qū) |
文件頁數(shù): | 6/9頁 |
文件大?。?/td> | 1299K |
代理商: | DTC114EV |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DTC114GC | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
DTC114GE | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR |
DTC114GK | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR |
DTC114GL | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
DTC114GS | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DTC114EVA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP |
DTC114EXV3T1 | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DTC114EXV3T1G | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
DTC114G | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:DIGITAL TRANSISTOR |
DTC114GA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |