參數(shù)資料
型號(hào)： DTA143T-AN3-R
廠商： UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS)
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-523, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大小： 57K
代理商： DTA143T-AN3-R
DTA143T
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
2 of 3
QW-R206-058,D
ABS OLUT E MAX IMUM RAT INGS
(Ta=25
°
C , unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
RATINGS
-50
-50
-5
-100
150
200
+150
-55~+150
UNIT
V
V
V
mA
mW
mW
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
SOT-523
SOT-23/SOT-323
Collector Power Dissipation
P
C
Junction Temperature
Storage Temperature
Note Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.
Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.
T
J
T
STG
ELECT RICAL CHARACT ERIST ICS
(Ta=25
°
C, unless otherwise specified.)
PARAMETER
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(SAT)
I
C
=-5mA, I
B
= -0.25mA
h
FE
V
CE
=-5V, I
C
= -1mA
R
1
f
T
V
CE
=-10V, I
E
=5mA, f=100MHz *
TEST CONDITIONS
A
I
C
=-1mA
I
E
=-50
A
V
CB
=-50V
V
EB
=-4V
MIN
-50
-50
-5
100
3.29
TYP MAX UNIT
-0.5
-0.5
-0.3
250
600
4.7
6.11
250
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC Current Gain
Input resistance
Transition frequency
* Transition frequency of the device
I
C
=-50
V
V
V
A
A
V
k
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DTA143TL-AE3-R DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTA143TL-AL3-R DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTA143TL-AN3-R DIGITAL TRANSISTORS (BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTA144E-AE3-R DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS)
DTA144E-AL3-R DIGITAL TRANSISTORS (BUILT-IN BIAS RESISTORS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DTA143TCA RF 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
DTA143TE RK 功能描述:兩極晶體管 - BJT Digital Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
DTA143TEATL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
DTA143TEBTL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
DTA143TET1 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*