參數(shù)資料
型號: DT250N
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Marketing Information
中文描述: 市場信息
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代理商: DT250N
TT 250 N, TD 250 N, DT 250 N
Elektrische Eigenschaften
Hchstzulssige Werte
Periodische Vorwrts- und
Rückwrts-Spitzensperrspannung
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
600 800 1000
1200 1400 1600
1800
V
Vorwrts-
Stospitzensperrspannung
Rückwrts-
Stospitzensperrspannung
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak forward off-
state voltage
non-repetitive peak reverse
voltage
RMS on-state current
average on-state current
t
vj
= -40°C...t
vj max
V
DSM
= V
DRM
V
t
vj
= +25°C...t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
t
c
= 85°C
t
c
= 82°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
v
D
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
v
L
=10V,i
GM
= 1A,di
G
/dt = 1 A/μs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
I
TRMSM
I
TAVM
410
250
261
8000
7000
A
A
A
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
I
TSM
Grenzlastintegral
i
2
t-value
i
2
dt
320000
245000
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
current
(di/dt)
cr
150 A/μs
Kritische Spannungssteilheit
voltage
(dv/dt)
cr
1000 V/μs
Charakteristische Werte
Durchlaspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 800 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs, t
g
= 20 μs
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
=V
RRM
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
max.1,5
V
V
0,8
0,7
m
mA
max. 200
max. 2
max.10
max.0,2
max. 300
max.1,2
V
mA
V
mA
A
Vorwrts- und Rückwrts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
i
D
, i
R
max. 50
mA
t
vj
=25°C, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/μs
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
t
gd
t
q
V
ISOL
max. 3
typ.250
μs
μs
kV
3
Thermische Eigenschaften
Innerer Wrmewiderstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
Θ
=180°el,sinus: pro Modul/per module
R
thJC
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
max.0,065 °C/W
max.0,13 °C/W
max.0,062 °C/W
max.0,124 °C/W
max.0,02 °C/W
max.0,04 °C/W
125
-40...+125
-40...+130
übergangs-Wrmewiderstand
heatsink
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
°C
°C
°C
Mechanische Eigenschaften
Gehuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Diese Module knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
1
M1
AlN
6
Nm
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
12
Nm
weight
creepage distance
vibration resistance
G
typ. 800
g
17
mm
m/s2
f = 50 Hz
5 . 9,81
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PDF描述
DT28F016SV-080 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
DT28F016SV-100 16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) FlashFile MEMORY
DT28F016SA-100 28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY
DT28F016SA-150 28F016SA 16-MBIT (1 MBIT X 16, 2 MBIT X 8)FlashFile MEMORY
DT28F160F3B120 FAST BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 8 AND 16 MBIT
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