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參數資料
| 型號： | DSPIC30F5016T-30I/PT |
| 廠商： | Microchip Technology |
| 文件頁數： | 65/66頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DSPIC MCU/DSP 66K 80TQFP |
| 產品培訓模塊： | Asynchronous Stimulus |
| 標準包裝： | 1,200 |
| 系列： | dsPIC™ 30F |
| 核心處理器： | dsPIC |
| 芯體尺寸： | 16-位 |
| 速度： | 30 MIP |
| 連通性： | CAN，I²C，SPI，UART/USART |
| 外圍設備： | 高級欠壓探測/復位，電機控制 PWM，QEI，POR，PWM，WDT |
| 輸入/輸出數： | 68 |
| 程序存儲器容量： | 66KB（22K x 24） |
| 程序存儲器類型： | 閃存 |
| EEPROM 大?。?/td> | 1K x 8 |
| RAM 容量： | 2K x 8 |
| 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 數據轉換器： | A/D 16x10b |
| 振蕩器型： | 內部 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 80-TQFP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
| 配用： | AC164320-ND - MODULE SKT MPLAB PM3 80TQFP AC30F007-ND - MODULE SKT FOR DSPIC30F 80TQFP |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁當前第65頁第66頁
dsPIC30F Flash Programming Specification
DS70102K-page 8
2010 Microchip Technology Inc.
5.5.3
PROGRAMMING VERIFICATION
Once code memory is programmed, the contents of
memory can be verified to ensure that programming
was successful. Verification requires code memory to
be read back and compared against the copy held in
the programmer’s buffer.
The READP command can be used to read back all the
programmed code memory.
Alternatively, you can have the programmer perform
the verification once the entire device is programmed
using a checksum computation, as described in
5.6
Data EEPROM Programming
5.6.1
OVERVIEW
The panel architecture for the data EEPROM memory
array consists of 128 rows of sixteen 16-bit data words.
Each panel stores 2K words. All devices have either
one or no memory panels. Devices with data EEPROM
provide either 512 words, 1024 words or 2048 words of
memory on the one panel (see Table 5-3).
TABLE 5-3:
DATA EEPROM SIZE
Device
Data EEPROM
Size (Words)
Number of
Rows
dsPIC30F2010
512
32
dsPIC30F2011
0
dsPIC30F2012
0
dsPIC30F3010
512
32
dsPIC30F3011
512
32
dsPIC30F3012
512
32
dsPIC30F3013
512
32
dsPIC30F3014
512
32
dsPIC30F4011
512
32
dsPIC30F4012
512
32
dsPIC30F4013
512
32
dsPIC30F5011
512
32
dsPIC30F5013
512
32
dsPIC30F5015
512
32
dsPIC30F5016
512
32
dsPIC30F6010
2048
128
dsPIC30F6010A
2048
128
dsPIC30F6011
1024
64
dsPIC30F6011A
1024
64
dsPIC30F6012
2048
128
dsPIC30F6012A
2048
128
dsPIC30F6013
1024
64
dsPIC30F6013A
1024
64
dsPIC30F6014
2048
128
dsPIC30F6014A
2048
128
dsPIC30F6015
2048
128
5.6.2
PROGRAMMING METHODOLOGY
The programming executive uses the PROGD command
to program the data EEPROM. Figure 5-4 illustrates
the flowchart of the process. Firstly, the number of rows
to program (RemainingRows) is based on the device
size, and the destination address (DestAddress) is set
to ‘0’. In this example, 128 rows (2048 words) of data
EEPROM will be programmed.
The first PROGD command programs the first row of
data EEPROM. Once the command completes
successfully, ‘RemainingRows’ is decremented by 1
and compared with 0. Since there are 127 more rows
to program, ‘BaseAddress’ is incremented by 0x20 to
point to the next row of data EEPROM. This process is
then repeated until all 128 rows of data EEPROM are
programmed.
FIGURE 5-4:
FLOWCHART FOR
PROGRAMMING
dsPIC30F6014A DATA
EEPROM
Is
PROGD response
PASS?
Is
RemainingRows
0?
Remaining Rows = 128
BaseAddress = 0
RemainingRows =
RemainingRows – 1
Finish
BaseAddress =
BaseAddress
No
Yes
+ 0x20
Start
Send
PROGD
Command with
BaseAddress
Failure
Report Error
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| DSPIC30F6010-30I/PF | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:16BIT 30MIPS DSPIC SMD 30F6010 |
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