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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS2016R-100 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Static RAM |
| 英文描述： | 2K X 8 STANDARD SRAM, 250 ns, PDSO24 |
| 封裝： | 0.300 INCH, SO-24 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 254K |
| 代理商： | DS2016R-100 |
DS2016
3 of 9
AC CHARACTERISTICS READ CYCLE
(TA= -40°C to +85°C; VCC = 5V ± 10%)
DS2016-100
DS2016-150
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
tRC
100
150
ns
Access Time
tACC
100
150
ns
OE
to Output Valid
tOE
50
70
ns
CE
to Output Valid
tCO
100
150
ns
CE
or OE to Output
Active
tCOE
5
ns
Output High-Z from
Deselection
tOD
5
35
10
60
ns
Output Hold from
Address Change
tOH
5
10
ns
AC CHARACTERISTICS WRITE CYCLE
(TA= -40°C to +85°C; VCC = 5V ± 10%)
DS2016-100
DS2016-150
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Write Cycle Time
tWC
100
150
ns
Write Pulse Width
tWP
75
120
ns
Address Setup Time
tAW
0
ns
Write Recovery
Time
tWR
10
ns
Output High-Z from
WE
tODW
35
70
ns
Output Active from
WE
tOEW
5
ns
Data Setup Time
tDS
40
60
ns
Data Hold Time
tDH
0
ns
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(TA = -40°C to +85°C)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Data Retention Supply
Voltage
VDR
CE
≥ V
CC - 0.5V
2.0
5.5
V
Data Retention
Current at 5.5V
ICCR1
CE
≥ V
CC - 0.5V
0.1*
1
A
Data Retention
Current at 2.0V
ICCR2
CE
≥ V
CC - 0.5V
50*
750
nA
Chip Deselect to Data
tCDR
0
s
Recovery Time
tR
2
ms
* Typical values are at 25°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS2016-100 | 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 |
| DS2105Z | 9-LINE 110 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO16 |
| DS2105S | 9-LINE 110 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO16 |
| DS2108S | 9-LINE 330 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO24 |
| DS2108 | 9-LINE 330 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO24 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS2016R-100+ | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| DS2016R-150 | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| DS2016R-150+ | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| DS2016S-100 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:IC-SM-16K CMOS SRAM |
| DS201B10A10 | 制造商:ABB Low Voltage Products and Systems 功能描述:System Pro M RCBO DS201 B10 A10 |
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