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參數資料
| 型號： | DS1973-F5 |
| 廠商： | DALLAS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | Programmable ROM |
| 英文描述： | 512 X 8 1-WIRE SERIAL EEPROM, MRDB2 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | DS1973-F5 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1995L-F5 | 16K X 1 NON-VOLATILE SRAM, MRDB2 |
| DS2016R-100 | 2K X 8 STANDARD SRAM, 250 ns, PDSO24 |
| DS2016-100 | 2K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDIP24 |
| DS2105Z | 9-LINE 110 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO16 |
| DS2105S | 9-LINE 110 ohm SCSI BUS TERMINATOR, PDSO16 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| DS1973-F5# | 功能描述:iButton RoHS:否 存儲類型:SRAM 存儲容量:512 B 組織: 工作電源電壓:3 V to 5.25 V 接口類型:1-Wire 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封裝 / 箱體:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated |
| DS1973-F5+ | 功能描述:iButton 4Kb EEPROM iButton RoHS:否 存儲類型:SRAM 存儲容量:512 B 組織: 工作電源電壓:3 V to 5.25 V 接口類型:1-Wire 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封裝 / 箱體:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated |
| DS1973-F5+W | 功能描述:iButton RoHS:否 存儲類型:SRAM 存儲容量:512 B 組織: 工作電源電壓:3 V to 5.25 V 接口類型:1-Wire 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封裝 / 箱體:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated |
| DS1976 | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:Shielded Drum Core Inductors |
| DS1976-100M | 功能描述:INDUCTOR 10UH 3.6A 20% 1976 RoHS:否 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:DS1976 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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