參數(shù)資料
型號： DS1345ABP-70-IND
英文描述： GT 6C 2#8 4#16 SKT PLUG
中文描述： 1024k非易失SRAM與電池監(jiān)視器
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 211K
代理商： DS1345ABP-70-IND
DS1345Y/AB
7 of 12
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTES 11 AND 14
BATTERY WARNING DETECTION
SEE NOTE 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
DS1345ABP-70IND+ 功能描述:NVRAM 1024K NV SRAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1345BL 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1345BL-100 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1345BL-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1345BL-70 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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