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參數(shù)資料
| 型號： | DS1314 |
| 廠商： | Maxim Integrated |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC CTRLR NV W/BATT MON 3V 8-DIP |
| 產(chǎn)品培訓模塊： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 標準包裝： | 50 |
| 控制器類型： | 非易失性 RAM |
| 電源電壓： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供應商設備封裝： | 8-PDIP |
| 包裝： | 管件 |
DS1312
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TIMING DIAGRAM: POWER-UP
NOTE:
If VBAT < VSW, VCCO will begin to slew with VCCI when VCCI = VBAT.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCB108DHLD | CONN EDGECARD 216PS DIP .050 SLD |
| V24C5H100BF3 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 100W |
| RCB90DHFR | CONN EDGECARD 180POS .050 SMD |
| HCC50DRXI | CONN EDGECARD 100PS DIP .100 SLD |
| LTC4300-2IMS8#TRPBF | IC HOTSWAP 2WIRE BUS BUFFR 8MSOP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1314_05 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3V Nonvolatile Controller with Lithium Battery Monitor |
| DS1314+ | 功能描述:IC CTRLR NV W/BATT MON 8-DIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM（SRAM） 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
| DS1314E | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM（SRAM） 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
| DS1314E/T&R | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:NV CONTRL 3V BW&RST 20-TSSOP T&R - Tape and Reel 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP |
| DS1314E/T&R | 功能描述:IC CTRL NV W/BATT MON 3V 20TSSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 - 控制器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 控制器類型:靜態(tài) RAM（SRAM） 電源電壓:4.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應商設備封裝:16-SOIC W 包裝:管件 |
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