參數(shù)資料
型號： DS1248W-120IND+
廠商： Maxim Integrated Products
文件頁數(shù)： 2/19頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： Lead (SnPb) Finish for COTS
Obsolescence Mitigation Program
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 11
類型： Phantom 計(jì)時(shí)芯片
特點(diǎn)： NVSRAM
存儲容量： 128KB
時(shí)間格式： HH:MM:SS:hh（12/24 小時(shí)）
數(shù)據(jù)格式： YY-MM-DD-dd
接口： 并聯(lián)
電源電壓： 2.97 V ~ 3.63 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 通孔
封裝/外殼： 32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 32-EDIP
包裝： 管件
DS1248/DS1248P 1024K NV SRAM with Phantom Clock
10 of 19
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Over the Operating Range (3.3V)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
Input Leakage Current
IIL
-1.0
+1.0
A
12
I/O Leakage Current
CE
≥
VIH ≤ VCC
IIO
-1.0
+1.0
A
Output Current at 2.4V
IOH
-1.0
mA
Output Current at 0.4V
IOL
2.0
mA
Standby Current CE = 2.2V
ICCS1
5
7
mA
Standby Current
CE
= VCC - 0.5V
ICCS2
2.0
3.0
mA
Operating Current tCYC = 70ns
ICC01
50
mA
Write Protection Voltage
VPF
2.80
2.86
2.97
V
11
Battery Switchover Voltage
VSO
VBAT or
VPF
V
11
CAPACITANCE
(TA = +25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS NOTES
Input Capacitance
CIN
5
10
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
5
10
pF
MEMORY AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Over the Operating Range (5V)
PARAMETER
SYMBOL
DS1248Y-70
UNITS
NOTES
MIN
MAX
Read Cycle Time
tRC
70
ns
Access Time
tACC
70
ns
OE
to Output Valid
tOE
35
ns
CE
to Output Valid
tCO
70
ns
OE
or CE to Output Active
tCOE
5
ns
5
Output High-Z from Deselection
tOD
25
ns
5
Output Hold from Address Change
tOH
5
ns
Write Cycle Time
tWC
70
ns
Write Pulse Width
tWP
50
ns
3
Address Setup Time
tAW
0
ns
Write Recovery Time
tWR
0
ns
Output High-Z from WE
tODW
25
ns
5
Output Active from WE
tOEW
5
ns
5
Data Setup Time
tDS
30
ns
4
Data Hold Time from WE
tDH
5
ns
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1251W-120+ IC NVSRAM 4MBIT 120NS 32DIP
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參數(shù)描述
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DS1248WP120IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:1024k NV SRAM with Phantom Clock
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