參數(shù)資料
型號(hào): DS1245Y-100
英文描述: CABLE SMA/SMA 36 RG-58
中文描述: 1024k非易失SRAM
文件頁數(shù): 5/12頁
文件大?。?/td> 221K
代理商: DS1245Y-100
DS1245Y/AB
5 of 12
AC ELECTRICAL
(V
CC
=5V
±
=
5% for DS1245AB)
CHARACTERISTICS
(t
A
: See Note 10) (V
CC
=5V
±
=
10% for DS1245Y)
DS1245AB-100
DS1245Y-100
PARAMETER
SYMBOL
MIN
Read Cycle Time
t
RC
Access Time
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
Output High Z from Deselection
t
OD
Output Hold from Address Change
t
OH
Write Cycle Time
t
WC
Write Pulse Width
t
WP
Address Setup Time
t
AW
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
Output High Z from
WE
t
ODW
Output Active from
WE
t
OEW
Data Setup Time
t
DS
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
DS1245AB-120
DS1245Y-120
MIN
120
MAX
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
100
100
50
100
120
60
120
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
OE
or
CE
to Output Active
5
5
5
5
35
35
5
5
100
75
0
5
15
120
90
0
5
15
3
12
13
5
5
4
12
13
35
35
5
5
40
0
10
50
0
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1245Y-120 1024k Nonvolatile SRAM
DS1245AB-100 1024k Nonvolatile SRAM
DS1245AB-120 1024k Nonvolatile SRAM
DS1245AB-70 1024k Nonvolatile SRAM
DS1245AB-85 1024k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1245Y-100+ 功能描述:NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245Y-100-IND 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based)
DS1245Y120 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
DS1245Y-120 功能描述:NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1245Y-120+ 功能描述:NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube