參數(shù)資料
型號(hào): DS1225AB-85
元件分類: DRAM
英文描述: 64k Nonvolatile SRAM
中文描述: 64K的非易失SRAM
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 147K
代理商: DS1225AB-85
DS1225AB/AD
4 of 10
(V
CC
=5V ± 5% for DS1225AB)
(T
A
: See Note 10)
(V
CC
=5V ± 10% for DS1225AD)
DS1225AB-70
DS1225AD-70
DS1220AD-85
MIN
MAX
MIN
MAX
70
85
70
85
35
45
70
85
5
5
25
30
5
5
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
DS1220AB-85
PARAMETER
SYMBOL
UNITS
NOTES
Read Cycle Time
Access Time
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
OE
or
CE to Output Active
Output High Z from Deselection
Output Hold from Address
Change
Write Cycle Time
Write Pulse Width
Address Setup Time
Write Recovery Time
t
RC
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
t
OD
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
t
OH
ns
t
WC
t
WP
t
AW
t
WR1
t
WR2
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH1
t
DH2
70
55
0
0
10
85
65
0
0
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3
12
13
5
5
4
12
13
Output High Z from WE
Output Active from WE
Data Setup Time
Data Hold Time
25
30
5
30
0
10
5
35
0
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1225AB-70-IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1225AB-70 64k Nonvolatile SRAM
DS1225AB-200-IND 64k Nonvolatile SRAM
DS1225AB-200 64k Nonvolatile SRAM
DS1225AB-170-IND 64k Nonvolatile SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1225AB-85+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB-85-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1225AD 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1225AD150 制造商:DALLAS 功能描述:New
DS1225AD-150 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube