參數(shù)資料
型號： DS1225AB-70
元件分類： DRAM
英文描述： 64k Nonvolatile SRAM
中文描述： 64K的非易失SRAM
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大小： 147K
代理商： DS1225AB-70
DS1225AB/AD
7 of 10
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTE 11
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
PARAMETER
(T
A
: See Note 10)
MAX
UNITS
μ
s
μ
s
μ
s
125
ms
(T
A
= 25°C)
MAX
UNITS
years
SYMBOL
t
PD
t
F
t
R
t
REC
MIN
0
300
300
2
TYP
NOTES
11
CE
at
V
IH
before Power-Down
V
CC
slew from V
TP
to 0
V
V
CC
slew from 0
V
to V
TP
CE
at V
IH
after Power-Up
PARAMETER
Expected Data Retention Time
SYMBOL
t
DR
MIN
10
TYP
NOTES
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery
backup mode.
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PDF描述
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參數(shù)描述
DS1225AB-70+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB-70IND 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB-70-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1225AB-70IND+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB85 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:
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