參數(shù)資料
型號： DS1225AB-200
廠商： DALLAS SEMICONDUCTOR
元件分類： Static RAM
英文描述： 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28
封裝： 0.720 INCH, EXTENDED, DIP-28
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大小： 147K
代理商： DS1225AB-200
DS1225AB/AD
7 of 10
POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
SEE NOTE 11
POWER-DOWN/POWER-UP TIMING
(TA : See Note 10)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
CE at VIH before Power-Down
tPD
0
s
11
VCC slew from VTP to 0V
tF
300
s
VCC slew from 0V to VTP
tR
300
s
CE at VIH after Power-Up
tREC
2
125
ms
(TA = 25°C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
TYP
MAX
UNITS
NOTES
Expected Data Retention Time
tDR
10
years
9
WARNING:
Under no circumstance are negative undershoots, of any amplitude, allowed when device is in battery
backup mode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1225Y-170 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 170 ns, PDIP28
DS1225Y-150 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150 ns, PDIP28
DS1225Y 8K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, PDIP28
DS1230AB 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28
DS1230Y 32K X 8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 200 ns, DMA28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1225AB-200+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB-200IND 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB-200-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:64k Nonvolatile SRAM
DS1225AB-200IND+ 功能描述:NVRAM 64k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1225AB70 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:
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