參數(shù)資料
型號: DMP2018LFK-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.2A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 3.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 200µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 113nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4748pF @ 10V
功率 - 最大: 2.05W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-UDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-U-DFN2523
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMP2018LFK-7DIDKR