參數(shù)資料
型號: DMP2012SN-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 5/5頁
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描述: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
產(chǎn)品變化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
產(chǎn)品目錄繪圖: SC-59 Package Top
SC-59 Package Side
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 700mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 400mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 180pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-59-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMP2012SNDIDKR