參數(shù)資料
型號: DMP1022UFDE-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 7/7頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9.1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 8.2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 42.6nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2953pF @ 4V
功率 - 最大: 660mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-UDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-UDFN2020(2x2)
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMP1022UFDE-7DIDKR