| 型號： | DMN65D8LFB-7B |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 60V 260MA X1-DFN1006-3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 260mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 歐姆 @ 115mA，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 25pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 430mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 3-XFDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 3-X1DFN1006 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | DMN65D8LFB-7BDIDKR |