參數資料
型號: DMN601DWK-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數: 2/5頁
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描述: MOSFET N-CH DL 60V 200MW SOT-363
產品變化通告: Copper Bond Wire Change 3/May/2011
其它圖紙: SOT-363 Package Top
SOT-363 Package Side 1
SOT-363 Package Side 2
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 305mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 200mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供應商設備封裝: SOT-363
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: DMN601DWKDIDKR