參數(shù)資料
型號(hào): DMN4800LSSL-13
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 8A SO-8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 14 毫歐 @ 8A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1.6V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 798pF @ 10V
功率 - 最大: 1.46W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SO
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: DMN4800LSSL-13DIDKR