| 型號(hào)： | DMN26D0UFB4-7 |
| 廠商： | Diodes Inc |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 230mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 歐姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 250µA |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 14.1pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 3-XFDFN |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 3-DFN1006H4（1.0x0.6） |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | DMN26D0UFB4-7DIDKR |