參數(shù)資料
型號: DMN2500UFB4-7
廠商: Diodes Inc
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3
標準包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 810mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 400 毫歐 @ 600mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 60.67pF @ 16V
功率 - 最大: 460mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 3-XFDFN
供應商設備封裝: 3-X2-DFN1006
包裝: 標準包裝
其它名稱: DMN2500UFB4-7DIDKR