| 型號(hào)： |
DMN21D2UFB-7B |
| 廠商： |
Diodes Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： |
2/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N CH 20V X1-DFN1006-3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
10,000 |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
760mA
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
990 毫歐 @ 100mA，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
1V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
0.93nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
27.6pF @ 16V
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| 功率 - 最大： |
900mW
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
3-XFDFN
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
3-X1DFN1006
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
DMN21D2UFB-7BDIDKR
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