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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DMN2114SN-7 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | DMN2114SN-7 |
N
DS30829 Rev. 3 - 2
3 of 4
www.diodes.com
DMN2114SN
Diodes Incorporated
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN5L06DMK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DMK-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DWK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DWK-7 | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN5L06DW | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DMN2170U | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2170U-7 | 功能描述:MOSFET 600mW 20Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| DMN21D2UFB-7B | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 10K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| DMN2215UDM | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2215UDM-7 | 功能描述:MOSFET 650mW 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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